壓電掃描臺內(nèi)置高可靠性壓電陶瓷驅(qū)動，可以實現(xiàn)大370μm的掃描范圍，運動直線性好，可選擇閉環(huán)版本獲得優(yōu)異的線性度與重復(fù)定位精度。壓電掃描臺采用*的結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有大剛度、大出力、大承載等特點，大承載達3.5kg，空載諧振頻率達600Hz，配套芯明天大功率控制器響應(yīng)時間高可達5ms，是精密加工、半導(dǎo)體制造、掃描顯微等應(yīng)用的選擇。壓電掃描臺在納米光刻實驗中需要對鏡片進行高速微納米級的精密移動，從而優(yōu)化鏡片讀取的信息。
除了在光刻實驗中有著應(yīng)用，還在激光直寫系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。激光直寫是利用強度可變的激光束對基片表面的抗腐蝕材料實施變劑量曝光，顯影后在抗腐蝕層表面形成所要求的浮雕輪廓，激光直寫系統(tǒng)的基本工作原理是由計算機控制高精度激光束掃描，在光刻膠上直接曝光寫出所設(shè)計的任意圖形，從而把設(shè)計圖形直接轉(zhuǎn)移到掩模上。
激光直寫的基本工作流程是：用計算機產(chǎn)生設(shè)計的微光學(xué)元件或待制作的VLSI掩模結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)；將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成直寫系統(tǒng)控制數(shù)據(jù)，由計算機控制高精度激光束在光刻膠上直接掃描曝光；經(jīng)顯影和刻蝕將設(shè)計圖形傳遞到基片上。
機械誤差：光刻過程是指放置在電動平臺上的光刻膠基片隨著電動平臺的轉(zhuǎn)動和平移，由聲光調(diào)制器控制光束的強弱對光刻膠進行變劑量曝光，通常電動平臺的定位精度達到微米或亞微米量級。然而由于慣性、靜摩擦、松動等所造成的電動平臺螺距誤差與偏移，將直接影響著系統(tǒng)的性能和光刻元件的質(zhì)量。如何提升實現(xiàn)平臺的高精度定位是激光直寫技術(shù)中需要考慮的問題。
壓電納米定位平臺采用柔性鉸鏈機構(gòu)，鉸鏈機構(gòu)基于固體的彈性變形，無滾動和滑動部分，具有零摩擦、高精度的特點，并且具有很高的剛度和承載能力。更重要的是，芯明天壓電納米定位臺的定位精度可達納米級甚至亞納米級。
