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1.單層與多層壓電陶瓷對(duì)比：

產(chǎn)品屬性	單層壓電陶瓷	多層壓電疊堆陶瓷
外觀
驅(qū)動(dòng)電壓	高（約1kV/mm）	低（60V/150V/200V）
位移形變量	小，納米量級(jí)	大，微米量級(jí)
諧振頻率	100k~6.6MHz	幾十~幾百kHz
靜電容量	幾nF	幾十nF~幾十μF

 2.圓片壓電陶瓷元件外觀及尺寸

注：?jiǎn)螌訅弘娞沾傻暮穸扰c長(zhǎng)、寬、外徑及材料等有關(guān)；外形尺寸可定制。

 3.圓片壓電陶瓷元件

芯明天單層壓電陶瓷通常為絲網(wǎng)印刷銀電極，厚度約幾微米至幾十微米，也可定制鎳、金、鍍銀等電極。 
單層壓電陶瓷片的標(biāo)準(zhǔn)電極為上下面，一面為正極、一面為負(fù)極；管狀單層陶瓷的標(biāo)準(zhǔn)電極為內(nèi)外壁電極，內(nèi)壁為正極、外壁為負(fù)極。

除標(biāo)準(zhǔn)電極外，我們也可提供特殊電極，如電極延覆WAE（Wraped Around Electrode），可將正負(fù)電極引至同一側(cè)，如下圖所示，為標(biāo)準(zhǔn)可選的WAE電極形式，一般從另一面延覆來(lái)的電極為負(fù)極，另一區(qū)域?yàn)檎龢O，如下圖標(biāo)記。

4.圓片壓電陶瓷元件的耐壓值

單層壓電陶瓷所能承受的電壓值與厚度有關(guān)，一般1mm厚陶瓷zui大可承受1kV的電壓，2mm厚陶瓷zui大可承受2kV電壓，以此類推。

芯明天單層壓電陶瓷的材料對(duì)應(yīng)典型應(yīng)用

NCE40：超聲清洗、水下超聲、醫(yī)療應(yīng)用-化妝品、壓電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、諧振模式應(yīng)用。

NCE41：超聲清洗、超聲霧化器、水下超聲、醫(yī)療應(yīng)用、壓電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、諧振模式應(yīng)用、點(diǎn)火擠壓式。

NCE80：超聲焊接、高頻聲吶、高頻醫(yī)療應(yīng)用。

NCE81：超聲焊接、超聲解膠劑、高頻及高功率聲吶、高頻及高功率醫(yī)療應(yīng)用。

NCE51：低功率及低頻超聲/聲傳感器、力及超聲拾音器、超聲傳感器/接收器系統(tǒng)、傳感器、加速度計(jì)、水聽(tīng)器、流量計(jì)、無(wú)損檢測(cè)NDT、促動(dòng)器（Bulk及單層的疊堆）。

NCE53：剪切加速度計(jì)、陀螺儀、一般所有要求高溫及時(shí)間穩(wěn)定性的應(yīng)用。

NCE56：醫(yī)療成像、水診器、NDT無(wú)損檢測(cè)、促動(dòng)器、一般所有既要求高介電常數(shù)又要求高壓常數(shù)的應(yīng)用。

NCE55：醫(yī)療成像、水診器、NDT無(wú)損檢測(cè)、促動(dòng)器、噴墨打印機(jī)、寬帶傳感器陣列和成像系統(tǒng)、要求高介電常數(shù)及高壓電常數(shù)、溫度限制的應(yīng)用。

注：材料參數(shù)請(qǐng)?jiān)斠?jiàn)技術(shù)參數(shù)。

單層壓電陶瓷的諧振頻率

1、片狀單層陶瓷諧振頻率

片狀單層陶瓷本身的諧振頻率與陶瓷的厚度有關(guān)，兩者大致關(guān)系如下圖所示。

將壓電陶瓷裝入設(shè)備中后，陶瓷的諧振頻率將降低，具體參數(shù)需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析。

單層壓電陶瓷的位移估算

利用逆壓電效應(yīng)，即對(duì)壓電陶瓷施加電壓，壓電陶瓷受電場(chǎng)影響將產(chǎn)生形變位移。

1、位移的粗略估計(jì)

單層壓電陶瓷一般在zui大耐壓值下的位移約為位移方向長(zhǎng)度的1‰，例如1mm厚陶瓷片，它的zui大耐壓值為1000V，在1000V下，它產(chǎn)生的zui大位移約為1μm。

2、片狀單層壓電陶瓷的位移估算：